Machina ad soldandum lasericum

Selectio nuclei fibrae laseris QCW: a 14µm ad 200µm, varietas nuclei fibrae selecti, cum variis materiis accommodatur, fibra aptissima eligitur; par nuclei fibrae opticae, diameter maculae in emissione, effectum directum habet. Sub eadem energia emissa, magnitudo maculae positive cum piscina liquefacta correlata est. Simul, quo minor macula, eo maior vis puncturae, eo altior profunditas liquefactionis, nucleus fibrae diversae secundum diversa requisita soldadurae cum lasere idoneo eligi potest.

Selectio nuclei fibrae laseris QCW: a 14µm ad 200µm, varietas nuclei fibrae selecti, cum variis materiis accommodatur, fibra aptissima eligitur; par nuclei fibrae opticae, diameter maculae in emissione, effectum directum habet. Sub eadem energia emissa, magnitudo maculae positive cum piscina liquefacta correlata est. Simul, quo minor macula, eo maior vis puncturae, eo altior profunditas liquefactionis, nucleus fibrae diversae secundum diversa requisita soldadurae cum lasere idoneo eligi potest.

Selectio nuclei fibrae laseris QCW: a 14µm ad 200µm, varietas nuclei fibrae selecti, cum variis materiis accommodatur, fibra aptissima eligitur; par nuclei fibrae opticae, diameter maculae in emissione, effectum directum habet. Sub eadem energia emissa, magnitudo maculae positive cum piscina liquefacta correlata est. Simul, quo minor macula, eo maior vis puncturae, eo altior profunditas liquefactionis, nucleus fibrae diversae secundum diversa requisita soldadurae cum lasere idoneo eligi potest.

Selectio nuclei fibrae laseris QCW: a 14µm ad 200µm, varietas nuclei fibrae selecti, cum variis materiis accommodatur, fibra aptissima eligitur; par nuclei fibrae opticae, diameter maculae in emissione, effectum directum habet. Sub eadem energia emissa, magnitudo maculae positive cum piscina liquefacta correlata est. Simul, quo minor macula, eo maior vis puncturae, eo altior profunditas liquefactionis, nucleus fibrae diversae secundum diversa requisita soldadurae cum lasere idoneo eligi potest.

Machina laserica gemmarum ad ferruminandum utitur technologia ferrariae depositionis lasericae, quae energiam thermalem lasericam magnam et technologiam ferrariae puncti fixi centralizati adhibet. Calor superficialis interne transfertur et diffunditur. Moderando parametros ut latitudinem impulsus laseris, energiam, potentiam maximam, et frequentiam repetitionis, materia liquefacta formatur in piscinam liquefactam specificam. Ob suas commoditates singulares, late adhibetur in processu gemmarum aurearum et argentearum et in ferraria partium parvarum et mediocrium.

Systema moderationis potentiae laseris pulsatilis adhibens; circuitus onerationis onerationem resonantem LC adhibet, et accumulator energiae rete accumulationis energiae inductoris condensatoris ad lucernam potentiam suppeditandam adhibet. Circuitus moderationis microprocessore ARM innititur, qui energiam emissam et frequentiam repetitionis fontis potentiae accommodare potest; systema protectiones multiplices habet ad disiunctionem in casu necessitatis fontis potentiae principalis in condicionibus abnormalibus curandam.